NTBL045N065SC1
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onsemi NTBL045N065SC1
| Artikelnummer: | NTBL045N065SC1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $12.508 |
| 100+ | $10.5638 |
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| 1000+ | $8.6195 |
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onsemi NTBL045N065SC1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTBL045N065SC1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.3V @ 8mA Vgs (Max) +22V, -8V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse 8-HPSOF Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 18V Verlustleistung (max) 348W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 325 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 18 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 73A (Tc) Grundproduktnummer NTBL045 -
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